日本napson非接触涡流法薄层电阻检测NC-80MAP

产品特点

• 使用多种类型的非接触式探头的电阻测量仪器，范围广泛
  （要安装的探头数量和探头类型可根据要求更改）
• 从8 mm的边缘可以进行多点测量
• 由于它是一种非接触式涡流方法，因此可以进行测量而不会损坏它。
• 可编程测量模式和2-D / 3-D映射软件
• *选项：安装了额外的晶圆厚度测量探针

日本napson非接触涡流法薄层电阻检测NC-80MAP

测量规格

测量目标

半导体/太阳能电池材料相关（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相关（碳纳米管，DLC，石墨烯，银纳米线等）
 导电薄膜相关（金属，ITO等）
 硅基外延，离子与
 半导体相关的进样样品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*请与我们联xi）

测量尺寸

2-8英寸
（可选； 12英寸）

测量范围

[电阻] 1m至200Ω・ cm
（*所有探头类型的总量程/厚度500um）
[抗剪强度] 10m至3kΩ / sq
（*所有探头类型的总量程）

*有关每种探头类型的测量范围，请参阅以下内容。

（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-​​cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）