传感器芯片结构

硅压力计是通过杂质扩散在硅芯片压力传感部分（硅膜片）中形成的，与普通IC制造工艺类似。
当对硅芯片施加压力时，应变计电阻会根据偏转而变化，并转换为电信号。 （压阻效应）
该应变计的特点是应变系数大。 （金属规有2～3，硅规有10～100）。
因此，可以获得高输出，可以制造厚膜片并提高压力传感器的耐压性。

目标型号

半导体压力传感器
VSW2（低压用）等

半导体膜片压力传感器的结构及工作原理讲解

半导体膜片压力传感器由直接与测量介质接触的高耐腐蚀金属膜片（相当于哈氏合金C-22、SUS316L等）和通过密封件检测压力的硅片（硅膜片）组成。硅油）使用双隔膜系统。
SUS316L膜片（或哈氏合金C-22同等材料等）通过压力入口与测量介质直接接触，可以稳定地测量不浸透它的介质（空气、水、油等）。 [当连接螺纹形状为G3/8时，使用O型圈（氟橡胶）密封管道。 ]

特征

• 我们可以制造各种可以测量正压、负压、复合压力和绝对压力的传感器元件。

• 与介质直接接触的受压部件材质相当于哈氏合金C-22，可用SUS316L制造，因此具有优异的耐腐蚀性。

• 检测压力的硅芯片的膜片较厚，因此具有优异的耐压性能。

目标型号

半导体膜片压力传感器
VESW、VESX、VESY、VESZ、VHR3、VHG3、VAR3、VAG3、VPNPR、VPNPG、VNF、HS1、HV1、AS1、AV1、NS1、NV1、VESI、VESV、VSW2、VST等

应变片式压力传感器的结构及操作说明

将左图所示的电阻桥粘贴在受压部的金属膜片的背面，将施加压力时金属膜片的变形量作为电压变化进行检测。
由于金属膜片表面有应变量高的地方和应变量少的地方，所以在四个地方粘贴了电阻，即使应变量不均匀也能正确检测的结构。

特征

• 没有焊接或 O 形圈接头，隔膜是一体式的，坚固耐用。

• 可高精度、耐高温（150℃）生产

目标型号

应变式压力传感器
VSD4、NSMS-A6VB、HSSC、HSSC-A6V、VHS、VHST、HSMC2、HSMC、VPE、VPB、VPRT、VPRTF、VPRQ、VPRQF、VPVT、VPVTF、VPVQ、VPVQF、VPRF、VFM、VF、 VFS、VTRF、VPRF2、VPRH2 等

薄膜压力传感器的结构及工作原理讲解

我们的薄膜压力传感器是隔膜式的，使用金属压力表薄膜。当从压力入口施加压力时，膜片变形，形成在膜片上的金属仪表薄膜变形，导致检测到的电阻变化。
它提供比应变计压力传感器更灵敏的输出，并且还具有比半导体压力传感器更小的温度系数。

特征

• 由于温度系数恒定，因此温度特性非常好。

• 提供长期稳定的输出，几乎不会随着时间的推移而恶化

• 可耐高温（200℃）

目标型号

电压开关2

测量原理

当有电流流向输入端时，压力会施加到金属量规薄膜上，导致失真，表现为输出侧电信号的变化。