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日本microphase石墨烯合成设备MPCVD-50
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更新时间:2024-03-22  |  阅读:2002

详情介绍

日本microphase石墨烯合成设备MPCVD-50

用于碳纳米管的合成、碳成膜、纳米陶瓷成膜、氮化、硫属化物成膜等。

目的 :用于合成碳纳米管、在粉末样品上沉积碳膜以及各种 CVD 膜沉积的通用管式炉型热 CVD 设备。
通过增加氨气、各种CVD反应气体、升华固体前驱体、液体前驱体的引入单元,
可应用于氮化、硫属化物(二硫化钼MoS2等)层状材料沉积等。
特征 :
  •  配备液体燃料(乙醇)引入系统,可用于无法安装烃类气体的场所。

  •  3系统质量流量气体流量控制系统,可以进行精确的气体控制。

  •  真空排气系统是标准设备,可用作真空炉或气氛炉。

  •  紧凑而坚固的外壳设计,易于安装在桌面实验室工作台上。

  •  高度可扩展且易于处理任何类型的处理。

LIB电池用Si负极材料上的碳涂层

 

二硫化钼薄膜

长 CNT/Si 的 SEM 图像

粉末状 CNT 的 SEM 图像

日本microphase石墨烯合成设备MPCVD-50

主要规格

基本配置管式炉正常使用温度400-1000℃
炉内尺寸60mmφ×L260mm
温度控制1区可编程温度控制器
外形尺寸W300mm x H200mm x D186mm
电容700W
芯管材料石英
尺寸OD50mm x ID46mm x L900mm
气体控制质量流量控制器
引入气体类型

载气:N2 或 Ar

还原气体:H2

烃类气体:C2H2 或 C2H4 或 CH4

真空计波登管真空计
排气泵旋转泵
外形尺寸W156mm x H200mm x D300mm
液体物料引入系统
催化剂前驱体引入机制
外形尺寸W1100mm×H1000mm×D500mm


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