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日本microphase石墨烯合成设备MPCVD-50
用于碳纳米管的合成、碳成膜、纳米陶瓷成膜、氮化、硫属化物成膜等。
目的 : | 用于合成碳纳米管、在粉末样品上沉积碳膜以及各种 CVD 膜沉积的通用管式炉型热 CVD 设备。 通过增加氨气、各种CVD反应气体、升华固体前驱体、液体前驱体的引入单元, 可应用于氮化、硫属化物(二硫化钼MoS2等)层状材料沉积等。 |
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特征 : |
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LIB电池用Si负极材料上的碳涂层
二硫化钼薄膜
长 CNT/Si 的 SEM 图像
粉末状 CNT 的 SEM 图像
日本microphase石墨烯合成设备MPCVD-50
基本配置 | 管式炉 | 正常使用温度 | 400-1000℃ |
炉内尺寸 | 60mmφ×L260mm | ||
温度控制 | 1区可编程温度控制器 | ||
外形尺寸 | W300mm x H200mm x D186mm | ||
电容 | 700W | ||
芯管 | 材料 | 石英 | |
尺寸 | OD50mm x ID46mm x L900mm | ||
气体控制 | 质量流量控制器 | ||
引入气体类型 | 载气:N2 或 Ar 还原气体:H2 烃类气体:C2H2 或 C2H4 或 CH4 | ||
真空计 | 波登管真空计 | ||
排气泵 | 旋转泵 | ||
外形尺寸 | W156mm x H200mm x D300mm | ||
液体物料引入系统 | |||
催化剂前驱体引入机制 | |||
外形尺寸 | W1100mm×H1000mm×D500mm |