日本advance2ω法纳米薄膜热导仪TCN-2ω

该设备是世界上唯yi使用2ω方法测量纳米薄膜在厚度方向上的导热率的商用设备。与其他方法相比，样品的生产和测量更加容易。

使用

• 量化低K绝缘膜的热阻，以用于半导体器件的热设计
• 绝缘膜的开发和散热的改善
• 在热电薄膜中的应用评价

特征

• 可以测量在基板上形成的20至1000nm的薄膜的厚度方向上的热导率。
• 使用热反射法通过温度幅度检测实现测量
• 易于预处理的测量样品

日本advance2ω法纳米薄膜热导仪TCN-2ω

规格

测量原理

关于“在绝热边界条件下通过2ω法评估薄片样品的导热系数”的论文

当金属薄膜以f / Hz的频率加热时，加热量变化为2f / Hz。
在充分散热的条件下，金属薄膜（0）–薄膜（1）–基板（s）的三层系统中金属薄膜表面的温度变化T（0）是一维的穿过金属薄膜/薄膜，以下公式用于表示传热模型的解析解。

（Λ：导热率W m ^-1 K ^-1，C：体积比热容JK ^-1 m ^-3，q：每体积的热量W m ^-3，d：厚度m，ω：角频率（=2πf） / s ^-1）

由于实数解（同相振幅）包含薄膜的信息，因此在相同条件下以不同频率进行测量时，同相振幅与（2ω）^-0.5成比例。
的热导率λ ₁所述的薄膜是通过以下公式获得。
（M：斜率，n：截距）

Si基板上的SiO ₂薄膜（20-100 nm）的示例