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涡流探伤技术在电阻检测方向上的运用
更新时间:2021-06-11      阅读:1037

涡流探伤技术在电阻检测方向上的运用

 涡流检测是建立在电磁感应原理基础之上的一种无损检测方法,它适用于导电材料。当把一块导体置于交变磁场之中,在导体中就有感应电流存在,即产生涡流。由于导体自身各种因素(如电导率、磁导率、形状,尺寸和缺陷等)的变化,会导致涡流的变化,利用这种现象判定导体性质,状态的检测方法,叫涡流检测。

日本napson涡流式电阻检测仪EC-80P

产品特点

  • 只需触摸手持式探头即可进行电阻测量。
  • 在电阻率/薄层电阻测量模式之间轻松切换
  • 使用JOG拨盘轻松设置测量条件
  • 连接到连接器的电阻测量探针是可更换的,因此它支持广泛的电阻。
  • (电阻探头:z多可以使用2 + PN判断探头)
  • 测量规格

    测量目标

    相关(硅,多晶硅,碳化硅等)半导体/太阳能电池材料
    的新材料/相关功能性材料(碳纳米管,DLC,石墨烯,银纳米线等)
    导电薄膜相关的(金属,ITO等)
    硅基外延离子注入的样品
    化合物与半导体有关的(GaAs Epi,GaN Epi,InP,Ga等)
    其他(*请与我们联xi)

    测量尺寸

    无论样品大小和形状如何均可进行测量(但是,大于20mmφ且表面平坦)

    测量范围

    [电阻率] 1 m至200Ω·cm
    (*所有探头类型的总范围/厚度500 um)
    [抗热阻] 10 m至3 kΩ/ sq
    (*所有探头类型的总范围)

    *有关每种探头类型的测量范围,请参阅以下内容。
    (1)低:0.01至0.5Ω/□(0.001至
    0.05Ω- cm)(2)中:0.5至10Ω/□(0.05至0.5Ω-cm)
    (3 )高:10至1000Ω/□( 0.5至60Ω-​​cm)
    (4)S高:1000至3000Ω/□(60至200Ω-cm)
    (5)太阳能晶片:5至500Ω/□(0. 2至15Ω-cm)

 

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