一、产品概述

二、核心制造工艺优势

1. 免模具成型，研发迭代高效

   无需定制硬质冲压模具，仅通过调整线路图纸与曝光掩膜即可完成发热回路布局修改，适配半导体设备研发阶段多次温控线路调试、分区加热结构改版，小批量试样交期短，大幅缩短静电吸盘整机验证周期。

2. 冷加工无应力，产品平整度优异

   整体为化学蚀刻冷加工成型，无机械冲压应力、激光高温熔边问题，成品线路平整无翘曲、边缘无毛刺、无金属碎屑，完1全契合半导体真空腔体超高洁净度使用要求，杜绝粉尘污染腔体与晶圆。

3. 大尺寸宽幅加工，适配大晶圆方案

   最大加工幅面可达 600mm×900mm，轻松覆盖 300mm 整盘环形、多分区金属箔加热线路加工，可直接落地 450mm 超大尺寸晶圆静电吸盘配套加热器定制。

4. 灵活基材适配

   支持两种基材来料加工：裸铜箔直接蚀刻成型、PI 聚酰亚胺覆铜膜一体化蚀刻加工，可根据客户绝缘封装结构、复合工艺自由选型，适配不同结构静电吸盘封装工艺。

三、精密品质管控

四、核心应用价值

1. 高精度均温控温

   可根据晶圆温度分布设计环形、扇形、多区独立发热线路，精准补偿等离子体、冷却气体带来的局部温差，将晶圆面内温差控制在工艺允许范围内，提升刻蚀、镀膜工艺一致性，有效提高晶圆良品率。

2. 适配真空高温严苛工况

   整体结构无应力形变，与陶瓷基底贴合紧密，热传导效率高，真空高温环境下不会出现脱层、翘边，适配半导体工艺腔体长期连续运转。

3. 兼顾研发打样与批量量产

   既能满足设备厂商新品研发阶段小批量试样定制，也可实现成熟机型稳定量产供货，柔性生产模式适配半导体设备项目不同阶段需求。

五、主要应用场景

1. 8 英寸、12 英寸量产线静电吸盘内置加热层；

2. 下一代 18 英寸大尺寸晶圆研发型静电卡盘；

3. 刻蚀机、PVD/CVD 沉积设备、离子注入机温控型静电吸盘改造；

4. 高1端半导体设备原厂新品研发温控结构验证。

六、总结