一、产品核心硬件基础参数（适配半导体超精密场景）

1. 核心精度：分辨率 1 角秒（5μm/m），0~1080 角秒核心量程精度±1 角秒，大角度区间 ±3 角秒，满足 7nm 及以下先进制程纳米级基准调平需求；

2. 双轴同步测量：X/Y 两轴倾角实时同屏彩色可视化显示，美国专1利双轴一体化测量结构，无机械式摆锤部件，MEMS 固态结构无磨损漂移Digi-Pas ；

3. 集成复合功能：内置低频测振模块（2–75Hz），一台设备同时完成水平倾角测量 + 设备振动监测；

4. 数字化输出：工业级蓝牙 30 米无线传输、USB 有线通讯，配套 PC 专业分析软件、手机 APP 实时绘图、数据存储、溯源归档；

5. 环境适配：全量程温度补偿、钛合金耐磨底座，无尘车间抗磕碰、温漂抑制优异，计量证书溯源 NIST、JIS、UKAS、DIN，符合半导体厂精密仪器入厂校验规范Digi-Pas 。

二、半导体全制程场景落地应用 + 专属优势

（一）光刻工艺（EUV/DUV 光刻机）—— 核心价值：控制曝光焦面偏移，降低 CD 尺寸偏差

应用点位

核心优势

1. 杜绝单轴分次调平累积误差

    

   传统气泡水平仪、单轴倾角仪需要分别调 X、Y 轴，反复迭代调整，正交轴相互干涉产生叠加倾斜误差；DWL8500XY 双轴实时数值可视化，工程师一次性完成平面找平，设备安装调试工时缩短 40% 以上，大型花岗岩平台分布式多点测绘，构建 3D 平面轮廓，修正地基沉降带来的整体倾斜形变。

2. 微米级倾斜锁定，保障光刻成像稳定性

    

   1 角秒（5μm/m）超高精度可将工作台倾斜控制在纳米级，规避晶圆载台微小倾斜造成的曝光焦深不均匀、图形畸变、关键尺寸（CD）左右偏移；头部晶圆厂实测：使用该仪器定期校准光刻机水平，水平偏移导致的晶圆曝光报废率下降 60%。

3. 振动 + 水平一体化巡检

    

   光刻机对地面低频共振、风机振动极度敏感，仪器可在水平校验同时直接采集设备底座振动幅值，区分 “精度漂移是地基倾斜还是共振导致”，快速定位故障源，不用额外部署振动传感器，精简车间仪器配置。

（二）薄膜沉积（PVD/CVD/ALD）、干法刻蚀腔体校准

应用点位

核心优势

1. 腔体水平均匀性保障等离子 / 镀膜一致性

    

   腔体倾斜会造成等离子场分布失衡、晶圆膜厚边缘差、刻蚀速率径向偏差；双轴平面测量快速标定腔体基准面，保证晶圆整面镀膜、刻蚀均匀性，提升片内均匀性（WIW）良率。

2. 真空腔体轻量化便携测量

    

   整机重量约 1150g，体积小巧，可直接放置在狭小腔体法兰、内部工装表面测量，传统光学水平仪受空间限制无法作业；固态抗冲击结构，适配设备吊装、拆装过程中的临时检测。

（三）CMP 化学机械抛光、晶圆研磨减薄设备

应用点位

核心优势

（四）晶圆键合、3D NAND 堆叠、晶圆切割（Dicing）设备

应用点位

核心优势

（五）半导体检测设备（探针台、AOI 光学检测、SEM 电镜）

应用点位：检测平台、光学平台、探针基座水平校准

1. 光学检测设备倾斜会引发图像畸变、尺寸测量误判，双轴平面校准保证相机光路垂直基准；

2. 探针台平台水平稳定，防止探针压力不均造成晶圆焊盘压伤、探针偏移；

3. 全部测量数据可通过 PC 软件导出 PDF 校验报告，满足 Fab 厂精密设备计量溯源、ISO 质量体系台账归档要求，气泡水平仪无数字化记录，无法完成品质追溯。

（六）无尘车间基建与地基长期稳定性监测

三、对比传统水平测量设备综合差异化优势

四、半导体工厂综合落地价值总结

1. 良率提升：从光刻、刻蚀到键合全工序抑制因平台倾斜带来的工艺波动，减少晶圆批量报废，直接提升芯片良率；

2. 运维降本：设备安装、定期校准工时降低 40% 以上，一机两用省去独立振动传感器采购成本，减少精密设备异常损耗维修费用；

3. 品质标准化：数字化测量报告实现精密设备计量校验可追溯，适配晶圆厂严苛的品质管控、客户审核需求；

4. 适配先进制程迭代：1 角秒超高精度满足 28nm→7nm 及以下先进产线设备基准调校，一台仪器覆盖新机装机、年度维保、故障排查、基建监测全场景。