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电子材料制造用高纯度4N氧化铝粉的参数分析
更新时间:2024-12-19      阅读:586

电子材料制造用高纯度4N氧化铝粉的参数分析

Taimicron是采用戴美化学多年培育的铝化合物合成技术生产的高纯度、超细精细陶瓷粉末。 Taimicron是基于2(OH)3AlCO4
铵钠铝石(NH)

低温烧结氧化铝

烧结用太微粉是一种高纯度α-氧化铝粉末,由于其初级颗粒细小且单晶,可以在极低的温度下烧结致密化。

■特点

99.99%以上的高纯度超细粉末。

它在低温下烧结并致密化。
经过1250℃至1300℃烧成,致密化至理论密度的98%以上。

可以获得表现出氧化铝原有性能的优异烧结体。
陶瓷具有高强度、高硬度、优异的耐磨性和耐腐蚀性。

半透明陶瓷可以很容易地获得
半透明陶瓷可以通过HIP烧结等来获得。

■典型特性值

年级

超滤膜

TM-DA

TM-DAR

TM-5D

晶型

α-氧化铝

α-氧化铝

α-氧化铝

α-氧化铝

BET比表面积

平方米/克

17.0

12.5

13.5

9.0

一次粒径*1

微米

0.09

0.12

0.12

0.20

静态堆积密度

/立方厘米

0.8

0.8

0.9

0.8

振实密度

/立方厘米

1.0

0.9

1.0

1.1

成型密度*2

/立方厘米

2.3

2.2

2.3

2.3

烧结密度

/立方厘米

3.93 *3

3.95 *4

3.96 *4

3.93 *5

*1:根据SEM照片测量 *2:单轴压制成型(98MPa)
*3:1250℃ *4:1350℃ *5:1400℃(在空气中各烧成1小时)

过渡型氧化铝*非常抱歉,目前已停止销售。

主相为γ、θ的氧化铝。

■特点

具有极细颗粒和大比表面积的粉末。

它具有高活性和优异的反应活性。

■典型特性值

年级

TM-100

TM-300

TM-100D

TM-300D

晶型

θ-氧化铝

γ-氧化铝

θ-氧化铝

γ-氧化铝

BET比表面积

平方米/克

120

220

120

200

一次粒径*1

微米

0.014

0.007

0.014

0.010

静态堆积密度

/立方厘米

0.15

0.05

0.40

0.40

振实密度

/立方厘米

0.18

0.08

0.60

0.60

*1:根据 BET 值计算

目的

高强耐磨材料
人造骨、牙科材料、轴承等。

电子材料
IC基板、半导体制造夹具、传感器等

光学材料
透光陶瓷、红宝石、YAG等

其他
各种填料、合成尖晶石、催化剂载体等

 

 

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