硅单晶拉制设备的温度控制技术分析

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硅单晶拉制设备的温度控制技术分析

更新时间：2023-09-17

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硅单晶拉制设备的温度控制技术分析

在坩埚中熔化多晶硅时的温度控制以及晶种后旋转和提拉时的温度控制。
从提升装置的视口进行温度测量。

硅单晶拉制设备温度控制示意图

单晶硅提拉过程中的温度控制。

如果多晶硅在坩埚中熔化或提拉的温度不稳定，则难以生产高纯度的单晶，质量也不稳定。
温度是单晶化的重要因素，能够非接触式测量的辐射温度计极其重要。

我们希望通过准确捕获熔化温度来捕获结晶开始的点。
虽然测量距离往往比较长，但目标尺寸必须相对较小。换句话说，长距离需要小光斑类型。
由于环境温度很高，因此耐热温度越高越好。

选型要点

对于硅的温度测量，最好在1.1μm或更小的波长下测量温度，该波长因温度而导致的发射率变化很小。
FTKX系列和FLHX系列适合长距离和小光斑类型（φ0.15~）。光纤头结构紧凑，耐热温度为150℃，即使在环境温度稍高的情况下也能安装。
由于头部是分离型，因此不需要辐射热对策。