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辐射温度计在单晶硅提拉设备的温度控制上的运用
更新时间:2023-03-06      阅读:965

辐射温度计在单晶硅提拉设备的温度控制上的运用

多晶硅在坩埚中熔化时的温度控制和晶种后旋转提拉时的温度控制。
从升降机视口进行的温度测量。

单晶硅提拉设备温度控制示意图

单晶硅提拉过程中的温度控制。

选型要点

对于硅的温度测量,在 1.1 μm 或更小的波长下进行温度测量是最佳的,因为温度的发射率变化很小。
FTKX 系列和 FLHX 系列是理想的,因为它们具有广泛的远距离、小光点类型(从 φ0.15 起)。由于光纤头结构紧凑且耐热150°C,因此即使环境温度稍高也可以安装。
头分离型无需采取辐射热对策。

所选机型

  • NEW!在恶劣环境和狭小空间也能自由使用的1ms光纤型
    半阶型

    光纤式辐射温度计FTKX系列

    测量温度范围:100°C至2000°C

    • 纤维型(耐热磁场)

    • 高温

    • 用于通过石英

    • 0.1ms/1ms快速响应

    • 用于金属

  • NEW! 1ms 辐射温度计,规格可根据测量对象改变

    无纤维辐射温度计 FLHX 系列

    测量温度范围:90°C 至 2000°C

    • 高温

    • 用于通过石英

    • 0.1ms/1ms快速响应

    • 用于金属




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